型号:

STB30NF10T4

RoHS:无铅 / 符合
制造商:STMicroelectronics描述:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
STB30NF10T4 PDF
其它有关文件 STB30NF10 View All Specifications
产品目录绘图 ST Series D2PAK
标准包装 1
系列 STripFET™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 35A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 45 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 55nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1180pF @ 25V
功率 - 最大 115W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1541 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 497-6550-1
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